如何用示波器显示齐纳二极管的伏安特性曲线？

一.实验的目的

1.测量二极管正反向伏安特性的关系。

2.学习和理解整流器和滤波电路的基本工作原理。

3.掌握交流电路的基本特性和交流参数的测量方法。

二。实验设备

待测DC电源、滑动变阻器、单极开关、电压表、电流表、微安表和二极管。

三。实验原理

根据PN结的导通原理，二极管只有在正偏的情况下才处于导通状态，其伏安特性曲线如下图所示:

(1)正特性

指施加正向偏压时的二极管特性，即施加电压V >；0

当0

其中Io可以用测得的反向电流Is代替，v是外加电压，t是热力学温度，e是电子数(1.6022 * 10-19c)，k是玻尔兹曼常数。

硅二极管的死区电压vth约为0.6V锗二极管的空载时间电压vth约为0.2v..

(2)逆向特征

指施加反向偏置电压时的二极管特性，即施加电压V

当VBR

当V & gt=VBR，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。

四。实验步骤

(1)按照图(b)外接方式连接灯泡，将灯泡切换为二极管正向连接方式。从0.6V开始，每隔0.02V测量一次，直到电流较大(此时二极管上的电压约为0.8V)，画出二极管的正向伏安特性曲线。

(2)按图中(a)的互连方法连接接线，将改为二极管，反接。测量电压为0～5.0V..每0.5V测量一次电流值，找出二极管的反向伏安特性。

(3)测量玻尔兹曼常数

二极管的伏安特性曲线可以表示为

其中Io可以用测得的反向电流代替，v是施加的电压，t是热力学温度，e是电子数(1.6022 * 10-19c)，k是玻尔兹曼常数。用公式法求k。