人物经历，陈星碧

1931年65438+10月28日，陈星碧出生于一个官宦家庭，祖籍浙江省浦江县青塘镇。我爷爷是清朝的武术家，父亲陈德政因为家境贫寒，通过勤工俭学在杭州之江大学化学系学习。母亲徐鹤梅是浙江余姚人。因为她小时候才华横溢，她爷爷不仅允许她不缠足，还允许她一直读书到进上海大学学文学。五四时期，陈星碧的父亲成为杭州的学生领袖之一，从此步入政坛，一度红人。但他很快得罪了蒋介石，被剥夺了工作，并被软禁。这时候陈星碧出生了，所以取了个外号叫“南二”。陈星碧3岁时，看到哥哥姐姐上学，吵着要读书，被特准进入一所小学。此后，他的父母劝他年复一年地复读年级，但他能坚持学习。六岁时，日本侵略者蔓延到上海。他随父母搬到余姚，然后到浦江，最后到重庆。不久，为了躲避日军轰炸，一家人搬到了合川。从八岁开始，他就离家到农村小学生活，养成了能吃苦、能独立生活的习惯，也深受抗日救国的教育。

小学毕业时，他的成绩名列前茅。在战时，与生命抗争是极其艰难的。他也想不再上正规学校，早点找到出路。但由于仕途坎坷，父亲坚持要他继续读书，学习科技，为国家做实事。另外，他一直在读一所国家级中学，包括生活费都是公费的，所以没有中断过学习。

他家最大的影响就是知识必须靠自己努力获得。抗战胜利后的第二年，当他从大陆转学到上海叶静中学时，许多功课都很难。但是有一天教物理的居小石老师突然对全班同学说:“你们都应该向陈星碧学习。他的练习显然都是自己做的。不管他做错了还是做对了，他都有自己特殊的方法，而且做得越好越好。”他还鼓励陈星碧做一辈子老实人。老师的这些话，让陈星碧受益终生。

1947考入同济大学电气工程系，获得奖学金。他在研究中从不拘泥于一种模式。人在电气系，但是在物理系和机械系上课，而工程力学和画法几何比电气系的主干课程要好。他学过小提琴，能背诵许多古典交响乐。他还阅读唯心主义哲学书籍，使他在新中国成立后经过艰苦的思想斗争接受了唯物主义。他告诉别人，他认为自己的唯物主义思想是比较扎实的，因为是通过奋斗得来的。

1952同济大学电气工程系毕业。电子科技大学教授。

1952大学毕业后，分配到厦门大学电气工程系担任助教。第二年，以防第二次院系调整，我被调到了南京工程学院无线电系。在那里，他辅导了几年电工基础课程。

1956党中央号召向科学进军。当时他被分配到新成立的成都电信工程学院(简称“成电”，现为电子科技大学)工作，这也让他有机会学习新的学科。他选择在中国科学院应用物理研究所学习半导体。这个决定决定了他未来的发展方向。他在研究所的两年半时间里，一边工作，一边自学了从物理系四大力学到半导体的专业课，写了一篇当时才出现的漂移晶体管中存储时间的论文。这篇文章后来出现在普里查德写的参考文献中，可见是该领域最早的著作。

1959年，回到成店。改革开放前，由于家庭背景，他总是被命令去教书。他认为，要教好一本书，不仅要融合所教的内容，还要考虑如何让学生最好地接受。他甚至要提前思考很久才能说出一句话或者一段话。所以，他上课不需要讲稿，只要拿一张香烟盒大小的纸，写一点备忘录提纲就行了。他的教学受到学生的高度赞扬。教书也为自己打下了更好的科学基础。

1970年，他被派到工厂支持氧化铅摄像管的研制，得知国外已研制出硅靶摄像管，建议研制这种新型摄像管并得到四机部的批准。但是好景不长。只是在他第一次看到显像管能产生影像的时候，被第一批点名到五七干校工作，直到他爱人生病被调回来。

1980，被派往俄亥俄大学做访问学者，专业不匹配。1981年初转到加州大学伯克利分校，开始研究新型半导体功率器件。1983回国后，被选为系主任，并很快成立了微电子研究所。为了国家和单位的需要，他彻底放弃了从事基础物理的想法，把MOS功率器件作为自己的主要研究方向。在他的带领下，VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件在国内首次研发，相关技术也得以发展。

1980俄亥俄大学访问学者。

1981年加州大学伯克利分校访问学者和研究工程师。

1983电子科技大学微电子科学与工程系主任、微电子研究所所长。他被聘为加拿大多伦多大学电气工程系的客座教授和英国威尔士大学天鹅海分校的高级客座教授。

1993后从事功率集成电路研究。10年前有人提出，将半导体微电子电路和功率器件同时制作在一个芯片上，会带来容易实现各种保护和控制的好处。因为世界上近四分之三的电能只有通过半导体功率器件转换成它的形式才能使用，所以国外有人预言它将在一个芯片上引起所谓的“第二次电子革命”。和集成电路的发展导致的信息时代的到来一样重要，也被称为第一次电子革命。然而，世界上制造的功率集成电路采用复杂的工艺，其电学性能不够好，导致性价比非常低，从而第二次电子革命的进展非常缓慢。他的两个表面耐压层结构的新发明，解决了在普通集成电路上制作功率器件的难题。不仅制作功率器件的工艺与普通集成电路完全兼容，而且制作的功率器件电学性能特别优异，阻碍第二次电子革命快速发展的桎梏也将被打破。他最大的希望是这一成果在中国开花结果，使中国成为这一领域的世界领导者。

1999当选中国科学院院士。5月10日至5月14日，第27届国际功率半导体器件和集成电路会议(IEEE ISPSD 2015)在中国香港召开。我校陈星碧院士因在高压功率MOSFET理论和设计方面的突出贡献，获得最高荣誉“功率半导体国际先锋奖”(ISPSD 2015)，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。

20世纪50年代末，国际上首次系统分析了漂移晶体管的存储时间。提出了一种新的电荷法基本方程和非均匀介质中的镜像电荷方程。自20世纪80年代以来，他一直从事半导体电力电子器件的理论和结构创新研究。从理论上解决了平面和非平面工艺提高p- n结击穿电压的终端技术问题，至今做出了一些独特的理论分析解。为解决MOS功率管中降低导通电阻和提高耐压之间的矛盾做出了一系列重要贡献。发明了三种新的耐压层结构，提高了功率器件的综合性能。横向耐压层新结构在制备工艺上与常规CMOS和BiCMOS工艺兼容，有利于耐高压功率集成电路的发展。1999当选中国科学院院士。