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近日，IEEE国际可靠性物理研讨会(IRPS)公布了2020年获奖论文。信息与电子工程学院赵毅教授发表的《超小型FinFET器件自热效应研究》获得最佳论文奖。论文的第一作者是瞿，博士生。这是首次有来自中国的研究成果获此殊荣，也是近年来少有的以学生为第一作者的论文获此殊荣。

在过去的59年里，IRPS一直是国际工程师和科学家展示他们在集成电路可靠性领域的原创工作的首要会议，吸引了来自美国、欧洲、亚洲和世界其他地区的与会者通过对故障物理和应用环境的分析来了解半导体器件、集成电路和微电子系统的可靠性。

基于2017顶级会议《IEDM》发表的研究成果，赵毅教授团队深度开发了超快亚纳秒测试系统，在国际上首次以电路速度动态监测先进FinFET器件的自热效应，并将提取的瞬态温度应用于器件可靠性退化行为的评估和模型建立。自热效应已经成为亚10 nm集成电路先进工艺节点中最严重、最受关注的可靠性问题。赵毅教授团队的这一研究成果不仅对器件研发具有重要意义，也为电路设计人员设计电路时钟和器件版图时提供了参考。

博士研究生曲自入学以来，在课题组中率先开展了超快速器件测试技术的研究。在没有足够的理论指导和参考的情况下，克服重重困难，不断突破，并多次在IEDM\IRPS等知名国际会议上发表成果。目前，浙江大学已经率先进行了超快器件测试。