纳特。计算机。Sci。概述:二维材料中量子缺陷的计算设计。

通讯员:袁平

交流单位:加州大学圣克鲁斯分校

二维(2D)材料晶格中的缺失原子或原子替代(点缺陷)是新兴量子技术的潜在宿主，如单光子发射器和自旋量子位。由二维材料中的量子缺陷的第一原理指导的设计为自旋量子位的合理发现铺平了道路。近日，美国加州大学圣克鲁斯分校的袁平在国际知名期刊NAT.compute.sci上发表了题为《二维材料中量子缺陷的计算设计》的总结论文..在这里，他们讨论了第一性原理理论发展的前沿，以及预测二维材料中点缺陷的关键物理特性，特别是光电和自旋光子特性对量子信息技术的挑战。降维的强多体相互作用需要超越平均场理论的先进电子结构方法。发展适用于强关联缺陷态的理论方法和预测自旋缺陷的自旋弛豫和退相干时间的一般方法的巨大挑战仍然有待解决。

图1:发现二维材料中新自旋缺陷的理论与实验之间反馈回路的建议。

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