am 29 LV 800d-这款闪光灯。如何连接成16位和8位求助？
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连接。因为NOR Flash选择的存储形式是512K×16Bit，也就是NOR Flash的最小值。
存储单元是2字节，S3C2440的最小寻址单元是1字节，所以需要改变地址线的
第二位ADDR1接A0，ADDR0不接NOR Flash芯片。
(2)16位数据线依次连接。其中端口DQ15/A-1有两个用途。If NOR闪烁
芯片选择1024K×8Bit存储模式，这个端口会作为最低地址线，本文选择。
选择了512K×16Bit的存储模式，所以这个端口作为数据线的最高位DQ15。
(3)CE是芯片选择信号，由于NOR Flash连接到BANK0，所以需要BANK0。
片选信号nGCS0。读使能OE和写使能WE连接到S3C2440的相应引脚。
(4)RY/BY表示NOR Flash是就绪还是繁忙，此处不使用。
所以就挂了。复位在低电平有效，并连接到电路的复位模块。
(5)BYTE是NOR Flash芯片读写模式的选择，高电平对应16bit模式，低电平对应。
该级别对应于8位模式。本文采用16位模式，直接与VDD相连。
(6)OM0，OM1是S3C2440启动方式的选择。当OM0=1时，OM1=0芯片组。
它是16位，NOR Flash芯片映射到BANK0的地址0x0。S3C2440
使用NOR Flash有16bit和32bir两种启动方式，所以前面只介绍Am29LV800D
可以使用16bit读写模式，但不能使用8bit模式。
NOR Flash的读写方式和内存一样，可以直接在其地址范围内读写。
所以把启动程序复制到NOR Flash里，上电后就可以直接运行了。但也没有闪光
价格贵，1M的容量也不足，所以这个系统还加了一个NAND Flash芯片。
作为补充。
2.4.2 NAND闪存电路设计
与NOR闪存相比，NAND闪存要便宜很多，所以更适合作为对比。
大容量存储媒体的使用。1989年，东芝公司发表了NAND Flash技术(后来
技术免费转让给韩国三星公司)，NAND Flash技术强调降低每比特成本，更高。
性能，并像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND闪存结构可以提供极高的
单元密度可以达到很高的存储密度，写入和擦除的速度也很快。它的缺点是
Yu需要专门的系统接口，CPU需要驱动程序从NAND Flash中读取数据。
据介绍，在使用时，数据一般是从NAND Flash拷贝到SDRAM，然后进行CPU序列。
执行，这也是大多数嵌入式系统无法从NAND Flash启动的原因。
S3C2440不仅支持从NOR Flash引导，还支持从NAND Flash引导。这是武汉理工大学的硕士学位论文。
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因为当NAND Flash启动时，Flash中的4k数据会被S3C2440自动恢复。
做成芯片内部一个叫“Steppingstone”的RAM，设置0x0为内部RAM。
的起始地址，然后CPU从内部RAM的0x0位置开始执行。这个过程不需要过程。
秩序干扰。并且程序可以使用这个4k代码将更多的数据从NAND Flash复制到。
SDRAM，以便从NAND Flash开始。
要选择是从NOR闪存还是NAND闪存引导，需要OM0和OM1。
引脚设置不同。如果经常需要切换启动模式，可以将这两个引脚连接到跳线。
在柱子上，用跳线夹固定。
本文选用三星公司生产的K9F1208U0B NAND Flash芯片。芯片容量
是64M×8bit。因为S3C2440内置了NAND Flash控制器，所以电路设计是x。
除法简单，不需要额外的控制芯片。电路图如图2-4所示。
图2-4 NAND闪存电路图
电路图描述:
(1)因为NAND闪存芯片是按字节存储的，所以数据线I/O0-7。
直接连接到S3C2440的数据线DATA0-7，不需要像NOR Flash一样移位一位。
线路连接。I/O0-7是用于地址、命令和数据多路复用的端口。
(2)ALE数据锁存允许，CLE命令锁存允许，CE芯片选择，WE写使能，RE。
读使能依次与引脚ALE、CLE、nFCE、nFWE、
NFRE是有联系的。
(3)WP写保护，这里不用，直接接高电平使其无效。VCC和电源
连接，VSS接地。武汉理工大学硕士学位论文
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(4)当OM0和OM1接地为0时，S3C2440将从NAND Flash启动。
内部RAM“stepping stone”将映射到0x0位置，取代原来在该位置的NOR。
闪光.NAND闪存中的第一个4K数据将在通电时自动复制到“踏脚石”中。
以便从NAND闪存开始。
(5)NCON、GPG15接地；GPG13和14连接到电源。这四个引脚用于NAND
闪光灯设置。以上设置说明使用的Flash是普通NAND Flash，一页的大小为。
512，完成地址传输变成地址查找操作需要四周时间(这是因为
K9F1208U0B芯片采用26位寻址方式，从0位开始经过I/O0-I/O7四次。
线传输)，数据位宽度为8位。不同芯片有不同的设置。以上是K9F1208U0B。
对于的设置方法，其他芯片需要参考S3C2440和具体的NAND Flash。
芯片数据手册
NAND Flash不对应任何存储体，因此不能用于总线操作。
它不能像NOR Flash和SDRAM那样通过地址直接访问。是的，NAND闪存
存储器芯片的操作必须通过NAND Flash控制器的专用寄存器来完成。
NAND Flash的写操作必须以块为单位进行，读操作可以以字节为单位读取。
对于K9F1208U0B，通过注册命令寄存器(对于S3C2440，此寄存器
对于NFCMMD，内存映射地址为0x4e000004)，实现命令队列1。
一般来说，有几个连续的命令或者一个命令加上几个参数。具体命令请参考K9F1208U0B。
的数据表。地址寄存器将完整的NAND闪存地址分解为列地址。
带有页面地址的地址。列地址是列地址，用于指定页面上的具体。
一个字节。页面地址是页面地址，用于确定读写操作在闪存的哪个页面。
行，因为页面地址总是与512字节对齐，所以它的低9位总是0。
26位地址中的A0~A7是它的列地址，A9~A25是它的页地址。发送时
命令结束后(例如读命令00h或01h)，地址会在四个周期内发送。第一个周期是头发。
送货地址。接下来的三个周期用于指定页面地址。发送地址后，就可以传递数据了。
寄存器向NAND闪存读写数据。以上只是S3C2440的NAND Flash控制。
设备的一般操作流程和具体操作方式需要参考数据手册。
2.4.3 SDRAM存储器电路设计
从Flash读取数据比较慢，而S3C2440运行速度非常快。
行指令的速度远高于从Flash中读取指令的速度。如果根据资料只从Flash看，武汉理工大学硕士论文
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然后用芯片处理的方式设计系统，这样即使芯片的计算能力再强，也没有手指。
万一执行，那就只能等了。因此，需要在系统中添加SDRAM。
Sdram(同步动态随机存取存储器)是同步动态随机的。
对内存的访问，同步是指需要同步工作中的时钟，内部命令的发送和数据的传输。
基于此，动态意味着存储阵列需要不断刷新以确保数据不丢失，而随机意味着
数据不是按线性顺序存储的，而是按指定的地址读写。
SDRAM是一种动态存储器，与系统时钟同步工作。它具有高数据吞吐量和高速度的优点。
速度快，便宜等等。SDRAM在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。
当系统启动时，CPU首先从复位地址读取启动代码。在完成系统初始化后，
将程序代码转移到SDRAM中运行，从而提高系统的运行速度。同时，系统和用户
堆栈和操作数据也存储在SDRAM中。
由于SDRAM的结构特点，需要定期刷新，这就要求硬件电路必须具备。
定时刷新的功能，S3C2440芯片在片上集成了独立的SDRAM控制电路，可以
与SDRAM连接方便，系统运行稳定。
本设计采用的SDRAM芯片型号为HY57V561620，存储容量为4Bank×4M。
×l6bit，每个库8M字节，* * *总大小32M。该系统由两块HY57V561620组成。
构建了64MB SDRAM存储系统，可以满足嵌入式操作系统和更复杂算法的需求。
操作要求。电路图如图2-5所示。
图2-5 SDRAM电路图
电路图描述:
(1)本系统采用两个HY57V561620芯片组成SDRAM，容量为64M。二
SDRAM以2字节为单位存储，因此一次最小存储容量为4字节。将
芯片的数据线DQ0-DQ15与S3C2440的数据线DQ0-DQ15相连。
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另一块与数据线的高位DATA16-DATA31连接。
(2)两个SDRAM芯片的地址线与S3C2440的地址线ADDR2-ADDR14顺序。
连接。SDRAM内部是一个存储阵列，它像一个表一样填充数据。
像表的检索原则一样，首先指定一行，然后指定一列，然后
你可以准确的找到需要的单元，这是存储芯片寻址的基本原理。只是因为，比如说
这里，通过将存储单元的行地址和行地址分成行来传输地址。因此，
HY57V561620只需要13条地址线来寻址一个存储体(8M大小)。不
那么按照正常的8M地址空间和字节传输，需要24条地址线。
由于本系统由两个16位的芯片组成，每次最小存储单位为4字节，也就是说
寻址间隔应为4(2
2
)字节。ADDR0的区间对应1字节，ADDR1是2个字。
段，ADDR2为4个字节。所以HY57V561620需要从ADDR2连接，才能到达。
到一个地址的间隔是4字节。
(3)HY57V561620由四个存储体组成，每个存储体大小为8M(4M×16bit)。
因此，不同存储体之间也需要寻址。因为银行的规模是8M=2。
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，因为
这对间隔为8M的存储体空间需要使用两条从ADDR24开始的地址线。
因此，BA0和BA1分别连接到ADDR24和ADDR25。
(4)LDQM和UDQM是数据输入输出屏蔽，由S3C2440的SDRAM控制器控制。
使用，这里连接下层数据线的芯片连接到DQM0，dqm 1；并且连接到高阶数据。
该线路的芯片连接到DQM2、DQM3。具体连接方式请参考S3C2440的数据手册。
(5)芯片选择信号CS连接到SDRAM的芯片选择信号nSCS0，两个芯片对应相同。
芯片选择信号。这是因为两个芯片是高低电平连接的，在同一个地方。
地址空间。
(6)RAS行地址选通信号，CAS列地址选通信号，WE写使能，和
连接S3C2440的相应控制引脚nSRAS、nSCAS和nWE。clock时钟信号
时钟使能信号分别连接到SCKE和SCLK。
在使用程序读写SDRAM之前，需要对SDRAM进行初始化，并设置一些配置寄存器。
设置。这里只使用了BANK6，没有使用BANK7。
初始化的代码大致如下:
void内存设置(void)
{
rBWSCON = 0x 22111110；武汉理工大学硕士学位论文
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rBANKCON0 = 0x700
rbankcon 1 = 0x 700；
rBANKCON2 = 0x700
rBANKCON3 = 0x700
rBANKCON4 = 0x700
rBANKCON5 = 0x700
rbankcon 6 = 0x 18005；
rbankcon 7 = 0x 18005；
rre fresh = 0x8e 07 a 3；
rBANKSIZE = 0xb2
rMRSRB6 = 0x30
rMRSRB7 = 0x30
}
BWSCON寄存器主要用于设置此处的位宽，其中每4位描述一个存储体。
在这个系统中，两块容量为32m字节、位宽为16的SDRAM用于构成容量。
它是一个64 MB字节、位宽为32的存储器，因此需要将BANK6设置为32位。银行账户0-5
不用，就用默认值0x700。BANKCON6-7用于设置SDRAM，它被设置为
0x18005表示SDRAM外接，列地址位数为9。刷新寄存器用于设置。
设置SDRAM的刷新周期，参考HY57V561620数据手册了解刷新周期的值。
BANKSIZE设置BANK6和BANK7的大小。对应于BANK6和BANK7的地址空间。
与BANK0~5不同。BANK0~5的地址空间大小都是固定的，128M，从BANK7开始。
起始地址是可变的，并且该系统仅使用BANK6的64M空间，因此可以进行寄存器
bit[2:0]= 010(128m/128m)或001(64M/64M)，将检测到多余的空间。
不会使用不存在的内存，因为Bootloader和Linux内核都会进行内存检查。
2.4.4触摸屏的电路设计
使用触摸屏TSP(触摸屏面板)进行输入意味着用手指或其他物体触摸。
触摸安装在显示器前面的触摸屏，并通过触摸屏控制触摸位置(以坐标的形式)。
设备检测，并通过接口发送到CPU，从而确定相应的信息输入。触摸屏通过某种
物理机制，使用户可以用触摸屏直接控制显示器，而不是传统的。
基于[14]通过鼠标和键盘控制方式向计算机输入信息
。武汉理工大学硕士学位论文
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触摸屏按其技术原理可分为矢量压力感应式、电阻式、电容式和红外式。
目前，电阻式触摸屏广泛应用于嵌入式系统中。电阻触点
触摸屏是多层复合膜，以一层玻璃或有机玻璃为基层，表面有一层透明涂层。
透明导电层覆盖有塑料层，并且其内表面也涂覆有透明导电层。
在两个导电层之间有许多微小的透明隔离点来隔离它们。ITO常用于工业
(氧化铟锡)作为导电层。根据信号线的数量，电阻式触摸屏被分成四个部分。
线、五行、六行等。信号线越多，技术越复杂，坐标定位越精确。
确实如此。所有电阻式触摸屏的基本原理都是相似的。当触摸屏幕时，通常绝缘的两个。
该层的导电层在接触点处具有触点。控制器检测到此连接后，因为它
一层导电层接Y轴方向5V的均匀电压，另一层导电层引触点电压控制。
电路进行A/D转换，得到电压值后，与5V比较即可得到触摸点的Y轴坐标。
获取X轴的坐标[15]
。本文使用四线电阻式触摸屏。
S3C2440提供8路A/D模拟输入，其中4路与触摸屏多路复用。如果XP，
当四个引脚XM、YP和YM不用于触摸屏输入时，它们可以用作普通的A/D转换器。
使用。S3C2440的触摸屏界面有四种工作模式:
(1)正常转换模式:该模式类似于一般的A/D转换模式。这种模式可以在中找到
在ADCCON(ADC控制寄存器)中置1，在ADCDAT0(数据寄存器0)中完成。
数据读写。
(2)X/Y坐标转换:触摸屏控制器支持两种转换方式，X/Y坐标分别为
X/Y坐标的转换和自动转换。每次转换都是在X模式下将X坐标写入ADCDAT0。
则产生一个中断；在y模式下，将y坐标写入ADCDAT1，然后产生一个中断。
(3)X/Y坐标自动转换:在此模式下，触摸屏控制器依次转换触摸点的X。
坐标和y坐标。当X坐标和Y坐标都被转换时，中断控制器将产生一个中断。
(4)等待中断模式:当触控笔被按下时，触摸屏产生一个中断(INT_TC)。等待
中断模式必须将寄存器rADCTSC设置为0xd3；在触摸屏控制器产生中断后，
必须清除该模式。
本次设计使用的触摸屏由广州友好Arm公司提供，并加入了液晶屏。
AA084VC03与LCD一起提供外部接口。AA084VC03是日本三菱的。
该公司的8.4英寸TFT-LCD分辨率为640x480，颜色为262K。这个触摸屏是一个四线电阻。
触摸屏，使用S3C2440的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。特定电路
参见下一节中的图2-6。AM29LV800D
看看对你有没有用。