王者归来？英特尔(INTC。US)公布新芯片技术或助其延续摩尔定律。

智通财经APP了解到，英特尔(INTC。US)已经宣布了多项新技术，据称这些技术将在未来十年内帮助英特尔芯片不断缩小尺寸并提高性能，其中一些技术已经准备好堆叠不同的芯片。

据悉，65438+2月65438+2月，英特尔在IEEE国际电子设备大会(IEDM)上通过几篇研究论文公布了三项新技术，分别从量子物理突破、新型封装和晶体管技术三个方向延续了摩尔定律。

其中，英特尔新的3D堆叠和多芯片封装技术Foveros Direct可以将上下芯片之间的连接点密度提高10倍，每个连接点之间的间距小于10微米。新的封装方式可以将NMOS和PMOS堆叠在一起，紧密连接，从而提高芯片在空间上的晶体管密度；这种方法可以在不减少工艺的情况下，增加30%到50%的晶体管密度，使摩尔定律重新生效。

过去几年，英特尔输给了TSM。美国和三星电子制造更小更快的芯片。如今，英特尔正在尽一切可能夺回其在芯片制造领域的领先地位。

此前，帕特·基尔辛格作为英特尔信托公司的首席执行官，推出了一系列业务发展计划，以在2025年重获主导地位。此次，该公司的技术团队推出了一系列“技术武器”，将帮助英特尔在2025年后保持技术优势。

英特尔组件研究小组主任兼高级工程师保罗·费舍尔(Paul Fischer)表示，通过将半导体组件一个接一个地堆叠起来，英特尔的技术团队可以节省芯片空间。“我们正在减少芯片内部连接通道的长度，从而节省能耗，这不仅提高了芯片的成本效益，还增强了芯片的性能。”