张行的主要成就

在教学方面，《微电子学概论》被评为北京市优秀课程，教材获教育部优秀教材二等奖。

作品方面，* * *发表学术论文200余篇，著作4部，获得信息产业部科技进步二等奖、教育部优秀青年教师奖等8项省部级奖励。

张行同志自1993进入博士后站以来，先后主持国家重大基础研究计划(973)项目(作为项目首席科学家)、863、国家自然科学基金、国家重点科技攻关、国际合作等十余项科研项目，均圆满完成任务，科研经费总额达数千万元。在此期间，他主要致力于小尺寸MOS器件、CMOS技术和SOI技术的研究，取得了一系列创新性的科研成果，其中主要有:

(1)全面研究了COSI 2栅对器件辐射特性的影响，首次得出采用COSI 2自对准栅可以提高器件抗总剂量辐射能力的结论。

(2)开发了一系列深亚微米SOI器件模型和CMOS/SOI电路仿真软件，在国内首次实现了深亚微米CMOS/SOI电路的仿真。该软件已销售给香港城市大学、航天科技集团等单位。(3)在国内首次研制出沟槽长度为0.15mm的新型凹槽沟道SOI器件。(4)提出并研制了一种新结构的SOI退火推进栅控混合管(DGCHT)，改善了GCHT击穿电压低、早期效应大的问题，并获得发明专利。(5)研制了51级的CMOS/SOI环形振荡器电路，门延迟时间为55ps，为目前国内最高水平。(6)首次提出了高剂量氧离子注入过程中溅射产额与注入能量的简明关系，完成了快速准确的SIMOX厚度计算程序POISS。(7)主持开发了一套完整的抗辐射CMOS/SOI技术，已转让给信息产业部47所和北京宇翔电子有限公司..(8)抗辐射CMOS/SOI ASIC已应用于中国工程物理研究院和航天工业集团。

* * *出版著作2部，发表学术论文120余篇；获信息产业部科技进步二等奖、国家科技重大成果奖等7项奖励；获得1项发明专利。在教学上，为本科生新开一门基础课“微电子学导论”，并开设一门研究生课程，可以将国内外最新的科研成果和进展有机地融入课堂教学，受到了学生的好评。