继续刚才光学论文的翻译~ ~高分(2)

图2比较了用GeO掺杂的层在两个波长下评估的分布，其标称宽度为65438±05 μm，掺杂成分为3.5%、5.0%和7.5%。图2比较了掺杂二氧化锗的应时层在两个波长下的估计(折射率)分布，其标称宽度为65438±05 μm。而掺杂成分为3.5、5.0和7.5。有证据表明，在所有情况下，从石英衬底到层的折射率转变不是一个简单的步骤。在掺杂了ge02的层内有一个逐渐的变化，其折射率随着远离界面而增加。显然，在所有情况下，折射率从应时衬底到掺杂层的过渡不是一个简单的步骤。相反，二氧化锗的掺杂层存在渐变，折射率从界面开始逐渐增大。此时，不可能评估这是否仅仅是晶格参数变化引起的应力场的结果，或者是否是生长室内条件的结果[I]。此时无法估计这只是晶格参数变化引起的应力场的结果，还是这是生长室条件的结果。无论如何，似乎在每种情况下波都是被制造出来的，但是折射率分布并不是简单的阶跃函数。然而，似乎在每种情况下都制造波导，并且折射率分布不仅仅是阶跃函数。_-

为了与一个更熟悉的例子进行比较，本分析技术应用于GEC马可尼公司生产的质子交换铌酸锂波导。为了与类似的例子进行比较，将这种分析技术应用于GEC马可尼公司生产的质子交换铌酸锂波导。图3(a)示出了在0.488 pm测量的实验黑暗模式位置。三角形给出的实验点误差在- f 0.00 01以内。在测得的17条暗线中，只有六条出现为清晰的实模，其余的11为被称为“基底”模的宽带，但在计算轮廓时仍有价值。图3(a)显示了在0.488 pm测量的实验的黑暗模式位置。三角形给出了一些实验点，误差在±0.05以内。在测得的17暗线中，只有6条显示出陡峭的实际图案，其余11为宽条带，称为“基底”图案，但在计算分布时仍有价值。虽然六个真实模式意味着几乎正方形的井剖面，但是由于图3(a)中的数据在一条直线上，所以使用所有17模式使得能够对指数变化进行更完整的分析。虽然六个实际模式意味着一个近乎正方形的势阱分布，但是由于图3(a)中的数据都在一条直线上，所以采用全部17模式可以更完整地分析折射率的变化。注意，LiNbO 3:H的分布形式不同于外延石英层的分布形式(图1)。图3(b)。给出了折射率随深度变化形式的三个可选函数的计算折射率分布。请注意LiNbO 3:H的折射率分布形式与外延生长的应时层不同(图1)。图3(b)以折射率随深度变化的形式示出了通过三个替代函数计算的折射率分布。选择是界面层的简单指数变化、指数加倾斜基底和自由轮廓。选择是界面层的简单指数折射率变化、指数加倾斜衬底和自由分布。通过计算中最小平方误差的最小化评估，所有三个都显示了模式的充分再现。这三个选项都表明，该模型可以被正确地表示，就像通过最小化计算中的最小二乘误差来估计一样。由于轮廓接近于阶跃函数，所以在仅使用si x“真实”(即亮)模式的分析中，三者之间的细微变化不会很明显。然而，由协议交换导致的折射率分布的计算阶段包括边界处的阶跃梯度。因为分布接近阶跃函数，所以在只有六个“实”(即亮)模的分析中，它们之间的细微变化不会很明显。然而，计算强调了由质子交换引起的折射率分布在边界处包含一个陡峭的梯度。