陈小龙的医学论文
在老师们骂他是骗子、“卢晓科技让人捧腹大笑”之后，卢晓科技也迎来了大跌，跌幅在20%左右。
股份，雪球，每个人都有自己的看法和争论。
但是没有一个业内人士出来说这个，有点神奇。
线外看热闹，非专业人士怎么说，大家应该都有一些判断。
现代科学的发展进步，其实已经到了常人难以理解的程度。不信你看下面这个“标准模型”的公式:
如果你不懂这个标准型号，第三代半导体，你连入门都不会。
不知道老师们懂不懂这个。
01
首先介绍一下第三代半导体。
1.导体和半导体
根据量子力学，构成物质的原子由原子核和电子组成，电子以电子轨道的形式在原子核外运动。
当原子和原子组成一个物体时，会有许多相同的电子混合在一起。这个混合过程就是化学反应，形成化学键，产生新的分子。
但是两个相同的电子不能停留在一个轨道上。为了防止这些电子在一个轨道上打架，很多轨道被拆分成几个轨道。
但是，如果这么多轨道不小心靠在一起，就会挤在一起形成一个宽轨道，这就是所谓的能带。
有些宽的轨道挤满了电子，无法移动，宏观上是绝缘的。这就是所谓的价带。
有些轨道很空，电子在很多空间里自由运动，宏观上是导电的。这就是所谓的导带。
固体中充满了价带和导带，价带和导带之间往往有一个间隙，称为禁带。
导带和价带很近，所以电子很容易从价带变道到导带，导带就是导体。
如果稍微远一点，电子本身无法穿越禁带，但是如果不是很远，禁带在5ev以内，那么电子也可以带着额外的能量穿越禁带，这就是半导体。
如果禁带大于5ev，基本上就被逼吃了，一般情况下电子是跨不过去的。这是绝缘体。
当然，凡事都有例外。如果能量足够大，别说5ev的禁带，就连5000ev的禁带都可以冲过去。这叫击穿场强(这个东西很重要，不信)。
当然，禁带越宽，击穿场强越高。
击穿场强越高，越耐草。
2.第三代半导体
不要被第三代吓到，哈哈。
第三代半导体，严格来说叫宽带隙半导体，也就是带隙比现在的硅基半导体更宽。
根据半导体材料能带结构的不同，如果带隙小于2.3ev，则为窄带隙半导体，代表材料有GaAs、Si、Ge、InP(有些读者可能不懂化学，但这些材料中文译为砷化镓、硅、锗、磷化铟)。
如果带隙大于2.3ev，则称为宽禁带半导体，代表材料有:GaN、SiC、AlN、AlGaN(中文名:氮化镓、碳化硅、氮化铝、铝镓氮化物)。
从上面的分析可以看出，半导体的带隙越大，其电子跃迁到导带所需的能量就越大。
呵呵，当然击穿场强越大，意味着材料可以承受更高的温度和电压。
所以宽带隙半导体和集成电路，也就是逻辑芯片，都没有关系。
逻辑芯片的核心是如何把晶体管做得更小，也就是改进工艺。
而电力电子器件和激光器要承受更高的电压、电流、频率和温度，然后有更小的功率损耗，才能在各种恶劣环境和高功率环境下应用。
想着怎么抗草。
所以，宽禁带半导体可以施展才华的地方在于电力电子器件和激光发生器。
目前比较有前景的两种材料是碳化硅和氮化镓，其他材料很难生长。
碳化硅主要用于功率器件，现在最火的用在电动车上，因为可以减少功率损耗，提高电动车的电池寿命。
未来如果将碳化硅用于光伏和风力发电，还可以提高发电效率，降低电力成本。
所以在这样一个政治家推动的电气化时代，它的需求是非常迫切的。
氮化镓主要用于微波器件，比如5G基站的射频芯片，否则效果会很差。
特别是对于军事电磁对抗，需要氮化镓来提高单位微波功率。
5G时代，氮化镓不可或缺。
02
萧楼是个大坑吗？
在国内，研究宽禁带半导体的主要有三个学校，分别是中科院物理所、中科院上海硅酸盐所和山东大学。主要研究方向是宽带隙半导体衬底的晶体生长。
因为这个行业最原始最难的就是基板片的制造。
就像一个硅基半导体，如果没有硅片，那做芯片呢？
这三个学校都是90年代开始研究的，起步时间和国外相差不大。有兴趣的读者可以自行搜索论文。
中国科学院物理研究所由陈小龙领导，建立产学研转化的企业是田可何达。
这家企业去年撤回IPO，有些奇怪。
谣传陈小龙逃跑了。
田可何达的金主是新疆生产建设兵团，控股方是天府集团，a股的影子股票是天府集团控制的天府能源，占股65，438+00.66%。
山东大学由徐宪纲领导，产学研企业是山东田玉娥。
最初的领导者是徐宪纲的老师，江院士。可惜这位大哥2011去世了，还没完成工作就去世了。科学真是个烧钱的职业。
在此，向各位领导致以崇高的敬意！
山东田玉娥前段时间参加了上市辅导，相信很快会在a股和大家见面。
大家对他的热情也很高。浙中股份只有2%被资金顶过。
中科院上海硅酸盐研究所的带头人是陈。
在陈之战之前，他在金光的世界里工作。后来，在20年的5月，他跟着卢晓科技走了。
这种卢晓技术是最新的股票。天气很热。
翻了一倍之后，前几天自媒体出来的老师在微信微信官方账号、Tik Tok等平台上出来说这是一家热销的骗子公司。
你必须有自己的判断。你要知道这些老师都不是圈内人，很可能不懂技术，只是看看二手资料。
卢晓科技过去追逐热点，对锂电池和光伏的投资也失败了。
但这并不意味着他的管理层是坏人。
卢晓科技原来的主业是漆包线，这是大家都知道的传统行业，竞争非常激烈。当然，管理层也知道这是没有前途的。
寻求转型，某种程度上说明管理层是有进取心的。
但是转型很难，涉足一个未知领域不是那么简单的。
山西的煤老板们最了解这个头疼的问题。
做一级投资的都知道，热门行业的好项目，就是需要各种关系和资源的小玩意。手里有钱能投资那个东西吗？
但如果不投资有实力的公司，很可能会被父亲打死。
低潮中的接招失误，比如高林投腾讯，段永平投网易，都是高难度动作和传奇，需要天时、地利、人和的配合。这种机会不仅难得，而且很难把握。
碳化硅过去不是很火，因为商业应用领域没有出来。
陈小龙曾在接受媒体采访时透露，田可何达成立后超过10年没有盈利，给投资人和团队都带来了巨大的压力。
美国军方支持的科锐，即使有军方父亲，2016也看不下去了，想把公司卖给英飞凌。
在电动车领域，2020年，特别疫情期间，人们还怀疑补贴退了以后会不会面临死亡。
当时有人专门写了《预言一个电爸出逃》来看空。
然后想想，碳化硅器件目前最好的应用场景和去年是一样的。谁会更关注碳化硅？
当时的热门话题是功率器件的国产替代，分别是硅基IGBT和MOSFET、斯达半导体和新清洁能源。
因此，在过去的20年里，科技找到了陈之战，这可能与以前的投资有些不同。
国内的碳化硅衬底还仅限于二极管的应用，芯片质量主要来自衬底，所以国内的SiC器件几乎都来自国外。
目前四英寸碳化硅薄膜做得比较好的有田可何达、河北同光和陕西硕科。
但是基本没有六寸量产的厂家(每月几百块的稳定出货量)。
换句话说，三大流派还是半斤八两，都需要突破。不然华为怎么会一起投资田可何达和山东田玉娥呢？
在这个阶段，谁能率先突破，谁就享有先发优势，借助行业景气度，实现超额收益，获得市场的估值溢价。
也许等合富卢晓半导体的碳化硅衬底出来，华为会进来投资。
合肥市政府号称是最好的风险投资人，但人不是傻子。
至于卢晓的技术，并没有什么技术积累。我真的不知道该怎么说。陈志展师兄，他的团队和学生研究了20多年。
大概是，19年卢晓科技的蓝宝石事业部，在给中科钢研承包碳化硅长晶炉的时候，突然发现这是一个很有前景的行业，于是找到了陈志展。
总之，对于卢晓科技，每个人都应该有自己的判断。核心点只有一个，就是陈团队能否生根发芽。
最后做个总结。
君临认为，目前碳化硅最好的投资应该是衬底环节，产能不足，壁垒极高。
基质的企业主要看国内三大流派下的企业，研究20年以上。
按照国内的科研环境和功率器件企业的发展，其他团队根本分不到一杯羹。
物质技术是积累的，烧人和时间，更烧钱。
现在行业火热，短时间内不可能开始研发。
中科院的两个研究所和山东大学的江院士团队肯定是科研资源最丰富的，但说压力很大，其他团队申请科研经费不容易。
卢晓科技说9月份可以试产，年底量产，而且是6寸。有了陈之战，这应该不是吹牛。
一旦年底基板真的量产，就是国内龙头。随着国内科技基金的火爆，自然会有神秘的东方估值力量。
在宽带隙半导体领域，全世界还处于迷茫阶段。我们和美国虽然有差距，但是没那么大。
特别是在其主要应用领域，新能源发电、新能源汽车、5G通信、航空航天、电磁对抗，我们国家是最大的应用市场和制造商，尤其是光伏、风电、电动汽车、5G。
技术进步仍然是经济利益驱动的，产业的需求对技术进步的作用最大。
所以目前宽带隙半导体的投资大有可为，很有可能在我国诞生一个全球领军人物。有很大的想象空间吗？
至于氮化镓等材料，以及外延、器件设计制造，产业正在兴起，肯定有很大的机会。君临将在后续后续文章中继续输出，带领读者彻底解决这一领域。