igbt的工作原理和功能

IGBT是垂直功率MOSFET的自然演变，适用于大电流、高电压应用和快速终端设备。

因为需要源极-漏极沟道来实现更高的击穿电压BVDSS，但是该沟道具有高电阻率，这导致功率MOSFET具有高RDS(on)值。IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

虽然最新一代的功率MOSFET器件已经大大改善了RDS(on)特性，但在高水平下，功率传导损耗仍然远远高于IGBT技术。与标准双极性器件相比，更低的压降、转换为低VCE(sat)的能力以及IGBT的结构可以支持更高的电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。