蓝宝石衬底上的碳化硅

碳化硅衬底上LED芯片的电极(美国CREE公司专门用SiC材料做衬底)是L型电极，电流纵向流动。用这种衬底制作的器件具有非常好的导电性和导热性，有利于制作大面积大功率器件。

碳化硅衬底的热导率(碳化硅的热导率为490 W/(m·k))是蓝宝石衬底的10倍。蓝宝石本身是热的不良导体，器件底部需要用银胶固定，传热性能差。使用碳化硅衬底的芯片电极呈L形，两个电极分布在器件的表面和底部，产生的热量可以通过电极直接导出；同时，这种衬底不需要电流扩散层，所以光不会被电流扩散层的材料吸收，提高了光提取效率。但是，与蓝宝石衬底相比，碳化硅的制造成本更高，需要降低相应的成本才能实现其商业化。