中国光刻机5 nm生产技术需要多久才能突破？

月初，一条“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻火了。在很多无良媒体的口中，这个消息完全变了味，给人的感觉是中国很快就会有自己的5nm光刻机，但真实情况完全不同。先说说这个新闻的真实内容，中国光刻机还需要多久才能在5nm生产技术上有所突破。

CAS的5nm光刻技术和光刻机关系不大。其实“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻来源是中科院网站上的一篇论文。文章主要内容其实是微纳加工领域的一个进展，中心思想是超高精度无掩模激光直接雕刻。因为文章中用了一个叫“光刻”的词，这就直接翻译成了光刻的意思。再加上5nm的数值，很容易认为中科院在5nm光刻机上有所突破。由于一些自媒体翻译错误，以及想煽动公众情绪获取大量流量，导致这一错误消息被广泛传播和转发，误导了很多关心国内光刻机发展的朋友。

论文和完全商业化是两回事。事实上，即使论文真的是光刻机领域的突破，要实现完全商业化也并不容易。前段时间“碳基芯片”这个概念也搜了一阵子。碳基芯片具有成本更低、功耗更低、效率更高的优势，将来可能会用在我们的手机或者电脑芯片上。为什么热度没有持续？主要原因是其商业化遥遥无期。碳基芯片还处于实验室阶段，完全商业化至少还需要20年，这意味着它们与主流的硅基芯片没有竞争力。同理，即使中科院的论文是5nm左右的光刻机技术，也不知道要多久才能实现全面商用。

中国和荷兰的阿斯麦差距至少有十几年。目前国内最好的光刻机厂商应该是上海微电子，最好的光刻机也只有90nm工艺。虽然有传言称，上海微电子明年将推出全新的28纳米光刻机，但与阿斯麦的EUV光刻机精度仍有很大差距。中国生产5nm光刻机最大的困难是自主研发。这不仅意味着我们需要跨越从28nm到5nm的巨大障碍，而且在突破的过程中最好不要使用其他国家的专利，只能发展自己的光刻机之路。需要满足这么多条件，研发难度可想而知。总的来说，中国光刻机技术短时间内取得重大突破的概率为零，人家还是要牵着我们的鼻子走。任何时候都是真的，落后就要挨打，卡脖子。只希望我们国家的科研人员能迎头赶上，早日有所突破。